MB85RS64PNF-G-AMERE2
RAMXEED
基本参数
- 零件状态 Active
- 安装类型 Surface Mount
- 等级 -
- 认证 -
- 内存类型 Volatile
- 工作温度 -40°C ~ 85°C (TC)
- 访问时间 3.5 ns
- 内存格式 DRAM
- 内存容量 4Gbit
- 时钟频率 1.2 GHz
- 存储器结构 128M x 32
- 封装 / 外壳 200-WFBGA
- 电压 - 供电 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V
- 技术 SDRAM - Mobile LPDDR4X
- 写入周期时间 - 字，页 18ns
- 内存接口 LVSTL
- 供应商器件封装 200-FBGA (10x14.5)
