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BYTe Semiconductor
BYTe半导体是一家专注于研发、推广和销售非易失性存储器产品的无晶圆厂集成电路设计公司。公司采用ETOX和SONOS闪存技术,成功开发了存储密度从512Kb到2Gb的SPI NOR闪存器件,以及包含1Gb和2Gb的并行NOR闪存产品。2024年,BYTe半导体将扩展产品线至SLC NAND闪存,并可为客户提供定制化产品和设计服务。
BYTe半导体是一家专注于研发、推广和销售非易失性存储器产品的无晶圆厂集成电路设计公司。公司采用ETOX和SONOS闪存技术,成功开发了存储密度从512Kb到2Gb的SPI NOR闪存器件,以及包含1Gb和2Gb的并行NOR闪存产品。2024年,BYTe半导体将扩展产品线至SLC NAND闪存,并可为客户提供定制化产品和设计服务。
BYTe Semiconductor 优势热卖产品
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IC FLASH 32MBIT SPI/QUAD 8WSON
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4558
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IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 8WSON
数量
3344
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IC FLASH 64MBIT SPI/QUAD 8WSON
数量
4453
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IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 8WSON
数量
1600
描述
IC FLASH 256MBIT SPI/QUAD
数量
4420
描述
IC FLASH 32MBIT SPI/QUAD 8WSON
数量
1600
描述
IC FLASH 64MBIT SPI/QUAD 8WSON
数量
1600
描述
IC FLASH 32MBIT SPI/QUAD 8WSON
数量
1600
描述
16 MBIT, 1.8V (1.65V TO 1.95V),
数量
1600
描述
256 MBIT, 1.8V (1.65V TO 1.95V),
数量
1600
描述
256 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -
数量
1600
描述
64 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
数量
4600
描述
511 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -
数量
1600
描述
16 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
数量
1600
描述
256 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), 1
数量
1600
描述
64 MBIT, 1.8V (1.65V TO 1.95V),
数量
1600
描述
128 MBIT, 1.8V (1.65V TO 1.95V),
数量
1600
描述
16 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
数量
1600
描述
32 MBIT, 1.8V (1.65V TO 1.95V),
数量
1600
描述
IC FLASH 512KBIT SPI/DUAL 8USON
数量
1600